近日,西华大学材料科学与工程学院王滨博士、邱建辉教授团队在碳基催化材料领域取得突破性研究成果,相关研究以“Topological Defects in Carbon Matrix Are Efficiently Constructed by Joule Thermal Shock for Catalyzing the Growth of Carbon Nanotubes”为题,发表于国际知名期刊《Advanced Science》(TOP 期刊,影响因子16.806)。

论文截图
该团队长期聚焦于特种碳催化剂的结构设计与催化机制研究,针对传统碳纳米管(CNTs)制备中金属催化剂残留、特种碳催化机制不明等行业痛点,创新性地提出采用焦耳热冲击(JTS)技术构建拓扑缺陷碳(TDC),为高效制备无金属残留 CNTs 提供了全新解决方案,相关技术具备规模化应用潜力。
在碳纳米管催化制备领域,团队突破传统高温 heteroatom 去除法制备拓扑缺陷碳的局限,首创“多次焦耳热冲击”制备策略。以氮掺杂碳为前驱体,通过瞬时加热(最高温度达1225℃)断裂碳 - 氮共价键,同时利用瞬时冷却抑制石墨化重排,高效构建出富含五边形、5757、585 等拓扑缺陷的碳基质。表征结果显示,该方法制备的拓扑缺陷碳(PDTC)缺陷密度(ID/IG=1.09)显著高于传统高温法产物(PDHC,ID/IG=0.94),且微孔体积为传统方法的16倍,为催化活性位点暴露提供了结构基础。

图1 用于展示JTS技术构建拓扑缺陷效率的多维度表征图

图2 基于ReaxFF MD模拟的氮掺杂结构演化过程及PDTC的ACTEM表征
以此类拓扑缺陷碳为催化剂,通过化学气相沉积(CVD)工艺实现了乙炔碳源向碳纳米管的高效转化。该催化剂表现出卓越的催化性能:碳纳米管质量产率高达1100%,远优于传统特种碳催化剂(400%),产物直径集中在30-80nm,为高结晶度多壁碳纳米管(层间距 0.34nm)。对比实验证实,拓扑缺陷是催化碳纳米管生长的核心活性中心,而非材料比表面积等次级因素。
团队进一步通过DFT计算与分子动力学模拟,揭示了拓扑缺陷碳催化碳纳米管生长的协同机制:五边形拓扑缺陷通过电子转移激活碳源分子,其他缺陷辅助调控电荷平衡;激活后的分子在带曲率缺陷表面自组装形成准六元环,经脱氢重排构建亚稳态碳层,最终通过碳层边缘活性进一步自组装生长为碳纳米管。该机制明确了特种碳催化碳纳米管生长的活性中心,解决了长期以来该领域的机制争议。

图3 PDTC催化生长的CNTs形貌、结构表征及其作为导电剂的电化学性能

图4 基于DFT计算的C2H2在不同缺陷上的吸附行为与电子结构分析

图5:基于MD模拟的活化分子自组装过程及CNTs生长机理示意图
在实际应用验证中,该方法制备的碳纳米管作为锂离子电池导电剂,表现出优异的电化学性能。与商用导电剂Super-P 相比,基于该碳纳米管的电极在1C 倍率下循环100次后,容量保留率达 91.3%(商用产品为 88.7%),且库仑效率长期稳定在 99% 以上,电极电阻与电荷转移电阻显著降低,为新能源电池领域提供了高性能导电材料新选择。
该研究不仅证实了焦耳热冲击技术在拓扑缺陷构建中的高效性,更建立了拓扑缺陷与碳纳米管生长的构效关系,为特种碳催化剂的设计与开发提供了理论支撑和技术平台。在xxx材料与表面技术教育部重点实验室的支持下,团队将持续推进该技术的规模化应用研究,为新能源、电子器件等领域提供关键材料支撑。
欢迎国内外研究机构和企事业单位联系洽谈合作,共同推动技术成果转化。
联系人:王滨博士
联系方式:jeasonbin@163.com
作者介绍:

王滨,日本秋田县立大学博士,讲师,硕士生导师。2026年1月起任教于西华大学材料科学与工程学院。主要从事缺陷碳材料的催化与储能相关研究。近年来,在相关领域国际期刊发表论文30余篇,总被引800余次。


